功率半導體行業(yè)正迎來(lái)新一輪漲價(jià)潮。日前，國產(chǎn)功率半導體企業(yè)無(wú)錫新潔能股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“新潔能”）發(fā)布價(jià)格調整通知，宣布對MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）產(chǎn)品漲價(jià)10%起，自3月1日起發(fā)貨生效。

而在此前，已有英飛凌科技公司、杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“士蘭微”）、江蘇宏微科技股份有限公司等多家國內外龍頭企業(yè)相繼發(fā)布產(chǎn)品調價(jià)通知，漲幅普遍在10%到20%之間，部分產(chǎn)品甚至更高。

“功率半導體企業(yè)此輪漲價(jià)，主要是成本壓力加劇?與?AI驅動(dòng)的結構性需求爆發(fā)?共同推動(dòng)的結果?！鄙虾Y產(chǎn)管理有限公司合伙人丁炳中在接受《證券日報》記者采訪(fǎng)時(shí)表示。

對于此次產(chǎn)品漲價(jià)，新潔能表示，近期全球上游原材料及關(guān)鍵貴金屬價(jià)格大幅攀升，導致其晶圓代工成本與封測成本持續上漲，目前已無(wú)法獨自承擔持續增加的綜合成本。為保障公司可持續運營(yíng)，確保產(chǎn)品穩定供應及保障服務(wù)質(zhì)量，經(jīng)慎重研究，決定對產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行適度調整。

據悉，銅、鋁、鈀、銀等金屬是半導體封裝的核心材料，其價(jià)格自2025年以來(lái)出現顯著(zhù)上漲，直接推高了生產(chǎn)成本。尤其是在中小功率器件中，封裝成本占比高達50%以上，部分產(chǎn)品甚至達到70%至80%，成本壓力直接傳導至終端產(chǎn)品定價(jià)。

“此輪漲價(jià)并非短期行為，或將貫穿2026年全年甚至更久?！倍”蟹治龇Q(chēng)，貴金屬供需緊張格局短期內難以逆轉，原材料成本仍將維持高位。同時(shí)，AI基礎設施建設仍處在投入高峰期，?AI算力需求將持續拉動(dòng)電源系統升級，對功率器件的需求強勁。

“AI服務(wù)器單機功率已從傳統服務(wù)器的數千瓦飆升至數十千瓦甚至兆瓦級，直接拉動(dòng)了對功率半導體的海量需求?！比f(wàn)聯(lián)證券投資顧問(wèn)屈放在接受《證券日報》記者采訪(fǎng)時(shí)表示，從產(chǎn)能上講，擴建晶圓廠(chǎng)、調整產(chǎn)線(xiàn)結構需要一定的周期，短期內無(wú)法快速釋放產(chǎn)能填補缺口。

東海證券研報認為，AI基礎設施建設仍處于大規模投入階段，海外四大CSP（芯片級封裝）廠(chǎng)商資本開(kāi)支同比高增，預計未來(lái)對算力的需求將爆發(fā)式增長(cháng)；全球半導體行業(yè)2025年銷(xiāo)售額創(chuàng )歷史新高，漲價(jià)潮正從存儲芯片蔓延至功率、模擬、MCU（微控制器）等非存儲領(lǐng)域。

在業(yè)內人士看來(lái)，此次漲價(jià)潮中，產(chǎn)業(yè)鏈結構性分化的情況將加劇?！吧嫌尾牧吓c設備商直接受益于漲價(jià)潮，如環(huán)氧塑封料、貴金屬供應商及半導體設備廠(chǎng)商將迎來(lái)訂單增長(cháng)?！鼻疟硎?，對于中游的設計與制造企業(yè)來(lái)說(shuō)，頭部廠(chǎng)商如英飛凌、士蘭微、新潔能等可通過(guò)漲價(jià)改善毛利率，但中小廠(chǎng)商或許將上下承壓。

屈放認為，此輪漲價(jià)也將推動(dòng)以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體加速滲透?。

“當硅基器件漲價(jià)而SiC通過(guò)規?；a(chǎn)逐步降價(jià)時(shí)，其相對成本差距縮小，切換經(jīng)濟性增強。目前比亞迪、蔚來(lái)等品牌的高端車(chē)型中已批量采用SiC電驅系統，預計2026年國內新能源車(chē)SiC滲透率有望突破15%?！鼻疟硎?，在第三代半導體領(lǐng)域，國產(chǎn)企業(yè)正加速追趕，將打破海外巨頭的壟斷格局。

士蘭微近期在投資者互動(dòng)平臺上表示，2025年，士蘭微繼續推進(jìn)“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)”項目的建設，截至目前，已形成月產(chǎn)10000片6吋SiC-MOSFET芯片的生產(chǎn)能力；“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)”項目已于2025年底實(shí)現通線(xiàn)。

華潤微電子有限公司在最近的投資者調研活動(dòng)中透露了其在第三代半導體領(lǐng)域的進(jìn)展及未來(lái)方向：碳化硅方面，2025年相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)基本實(shí)現滿(mǎn)產(chǎn)，最新一代MOS G4產(chǎn)品已推向市場(chǎng)，并獲得各行業(yè)標桿客戶(hù)的認可與批量使用，主驅模塊已實(shí)現批量上車(chē)。在氮化鎵方面，外延中心正式啟用，產(chǎn)能擴產(chǎn)有序推進(jìn)，并正加快向更大規模爬坡。2026年，該公司將繼續加快新一代產(chǎn)品研發(fā)，重點(diǎn)拓展車(chē)規、數據中心、無(wú)人機、風(fēng)光儲能等高景氣賽道，預計第三代半導體業(yè)務(wù)將保持強勁增長(cháng)態(tài)勢，有望實(shí)現營(yíng)收規模翻倍以上的提升。